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半導體材料微結構分析與評價(jià)

簡(jiǎn)要描述:廣電計量提供半導體材料微結構分析與評價(jià)服務(wù),提供半導體材料元素成分分析,結構分析,微觀(guān)形貌分析測試服務(wù),CNAS資質(zhì)認可,幫助客戶(hù)全面了解半導體材料理化特性.

  • 廠(chǎng)商性質(zhì):工程商
  • 更新時(shí)間:2024-03-13
  • 訪(fǎng)問(wèn)次數:445

詳細介紹

品牌廣電計量服務(wù)范圍全國
服務(wù)周期常規5-7個(gè)工作日服務(wù)資質(zhì)CMA/CNAS
服務(wù)費用視具體項目而定

服務(wù)范圍

廣電計量提供半導體材料微結構分析與評價(jià)服務(wù)范圍:半導體材料、有機小分子材料、高分子材料、有機/無(wú)機雜化材料、無(wú)機非金屬材料。

檢測項目

(1)半導體材料元素成分分析:EDS 元素分析,X 射線(xiàn)光電子能譜(XPS)元素分析;

(2)半導體材料分子結構分析:FT-IR 紅外光譜分析,X 射線(xiàn)衍射(XRD)光譜分析,核磁共振波普分析(H1NMR、C13NMR);

(3)半導體材料微觀(guān)形貌分析:雙束聚焦離子束(DB FIB)切片分析,場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡(FESEM)微觀(guān)形貌量測與觀(guān)察,原子力顯微鏡(AFM)表面形貌觀(guān)察。

相關(guān)資質(zhì)

CNAS

服務(wù)背景

隨著(zhù)大規模集成電路的不斷發(fā)展,芯片制程工藝日趨復雜,半導體材料微結構及成分異常阻礙著(zhù)芯片良率的提高,為半導體及集成電路新工藝的實(shí)施帶來(lái)了極大的挑戰。廣電計量提供半導體材料微結構分析與評價(jià)服務(wù)。

我們的優(yōu)勢

(1)芯片晶圓級剖面制備及電子學(xué)分析,基于聚焦離子束技術(shù)(DB-FIB),對芯片局部區域進(jìn)行精確切割,并實(shí)時(shí)進(jìn)行電子學(xué)成像,可得到芯片剖面結構,成分等重要工藝信息;

(2)半導體制造相關(guān)材料理化特性分析,包括有機高分子材料、小分子材料、無(wú)機非?屬材料的成分分析、分子結構分析等;

(3)半導體物料污染物分析方案的制定與實(shí)施??蓭椭蛻?hù)全面了解污染物的理化特性,包括:化學(xué)成分組成分析、成分含量分析、分子結構分析等物理與化學(xué)特性分析。

應的衍射斑點(diǎn),其晶面間距有所不同;也就是說(shuō)雖然都是fcc結構,但是其晶格參數(fcc晶胞的a值)不同,表明其是不同的工藝所得。尤其是區域2(綠色框)和區域3(黃色框)的晶格參數差異,表明該裂紋是在不同工藝的Cu的界面產(chǎn)生。


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