服務(wù)內容

廣電計量的DB-FIB均配備了納米機械手，氣體注入系統（GIS）和能譜EDX，能夠滿(mǎn)足各種基本和高階的半導體失效分析需求。還將持續不斷地投入先進(jìn)電子顯微分析設備，不斷提升和擴充半導體失效分析相關(guān)能力，為客戶(hù)提供細致且全面深入的失效分析解決方案。廣電計量能提供一站式雙束掃描電子顯微鏡檢測,材料微觀(guān)分析服務(wù)

服務(wù)范圍

目前DB-FIB被廣泛應用于陶瓷材料、高分子、金屬材料、生物、半導體、地質(zhì)學(xué)等領(lǐng)域的研究和相關(guān)產(chǎn)品檢測。

檢測標準

廣電計量雙束掃描電子顯微鏡檢測,材料微觀(guān)分析服務(wù)執行：國家標準（GB/T）、國家汽車(chē)行業(yè)標準（QC/T）、國際標準（ISO）、以及國內外各大汽車(chē)主機廠(chǎng)標準。

測試項目

1、定點(diǎn)截面加工

2、TEM樣品成像分析

3、選擇性刻蝕或增強刻蝕檢驗

4、金屬材料沉積和絕緣層沉積測試

檢測資質(zhì)

CNAS、CMA

檢測周期

常規5-7個(gè)工作日

服務(wù)背景

著(zhù)半導體電子器件及集成電路技術(shù)的飛速發(fā)展，器件及電路結構越來(lái)越復雜，這對微電子芯片工藝診斷、失效分析、微納加工的要求也越來(lái)越高。FIB雙束掃描電鏡所具備的強大的精細加工和微觀(guān)分析功能，使其廣泛應用于微電子設計和制造領(lǐng)域。

 FIB雙束掃描電鏡是指同時(shí)具有聚焦離子束(FocusedIonBeam，FIB)和掃描電子顯微鏡(ScanningElectronMicroscope，SEM)功能的儀器。它可以實(shí)現SEM實(shí)時(shí)觀(guān)測FIB微加工過(guò)程的功能，把電子束高空間分辨率和離子束精細加工的優(yōu)勢集于一身。其中，FIB是將液態(tài)金屬離子源產(chǎn)生的離子束經(jīng)過(guò)加速，再聚焦于樣品表面產(chǎn)生二次電子信號形成電子像，或強電流離子束對樣品表面刻蝕，進(jìn)行微納形貌加工，通常是結合物理濺射和化學(xué)氣體反應，有選擇性的刻蝕或者沉積金屬和絕緣層。

我們的優(yōu)勢

廣電計量聚焦集成電路失效分析技術(shù)，擁有業(yè)界專(zhuān)家團隊及目前市場(chǎng)上先進(jìn)的Ga-FIB系列設備，可為客戶(hù)提供完整的失效分析檢測服務(wù)，幫助制造商快速準確地定位失效，找到失效根源。同時(shí)，我們可針對客?的研發(fā)需求，提供不同應?下的失效分析咨詢(xún)、協(xié)助客戶(hù)開(kāi)展實(shí)驗規劃、以及分析測試服務(wù)，如配合客戶(hù)開(kāi)展NPI階段驗證，在量產(chǎn)階段(MP)協(xié)助客戶(hù)完成批次性失效分析。