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透射電子顯微鏡(Transmission Electron Microscope,簡(jiǎn)稱(chēng)TEM),是一種以電子束為光源的基于電子顯微學(xué)的微觀(guān)物理結構分析技術(shù),分辨率最高可以達到0.1nm左右。TEM技術(shù)的出現,大大提高了人類(lèi)肉眼觀(guān)察顯微結構的極限,是半導體領(lǐng)域不可少的顯微觀(guān)察設備,也是半導體領(lǐng)域工藝研發(fā)、量產(chǎn)工藝監控、工藝異常分析等不能缺少的設備。
TEM在半導體領(lǐng)域具有非常廣泛的用途,如晶圓制造工藝分析、芯片失效分析、芯片逆向分析、鍍膜及刻蝕等半導體工藝分析等等,客戶(hù)群體遍布晶圓廠(chǎng)、封裝廠(chǎng)、芯片設計公司、半導體設備研發(fā)、材料研發(fā)、高??蒲性核?。
01 TEM技術(shù)團隊能力介紹
廣電計量的TEM技術(shù)團隊由陳振博士牽頭,團隊技術(shù)骨干的相關(guān)行業(yè)經(jīng)驗均在5年以上,不僅具有豐富的TEM結果解析經(jīng)驗,還具有豐富的FIB制樣經(jīng)驗,具備7nm及以上先進(jìn)制程晶圓的分析能力及各種半導體器件關(guān)鍵結構的解析能力,目前服務(wù)的客戶(hù)遍布國內的晶圓廠(chǎng)、封裝廠(chǎng)、芯片設計公司、高??蒲性核?,并受到客戶(hù)廣泛的認可。
02設備能力介紹
TEM設備
TEM型號:Talos F200X參數
1.電子槍?zhuān)篨-FEG
2.200Kv時(shí)亮度1.8*109 [A/cm2/Sr]
EDS探頭型號:Super-X
3.HRTEM信息分辨率:0.12 nm
HRSTEM分辨率:0.16 nm
TEM樣品制備設備DB FIB
DB FIB型號:Helios 5 CX參數
1.離子源:液態(tài)鎵離子源
2.EDS探頭型號/有效活區面積:
Ultim Max65/65mm2
3.離子束分辨率:2.5 nm@30Kv
4.電子束分辨率:1.0 [email protected] Kv,
0.6nm@15Kv
03TEM服務(wù)項目介紹
04關(guān)于陳振博士
陳振
無(wú)錫廣電計量副總經(jīng)理
復旦大學(xué)材料物理專(zhuān)業(yè)博士,上海市“科技創(chuàng )新行動(dòng)計劃"技術(shù)平臺負責人,無(wú)錫市發(fā)展改革研究中心決策咨詢(xún)專(zhuān)家,南京大學(xué)和西安電子科技大學(xué)碩士研究生兼職導師,上?!熬請@工匠"、“嘉定技術(shù)能手",負責的先進(jìn)制程芯片檢測項目入選“上海市檢驗檢測創(chuàng )新案例"。
曾參與國家重點(diǎn)研發(fā)計劃項目2項,國家自然基金面上項目3項,國外高水平期刊發(fā)表SCI論文8篇,申請發(fā)明Z利1項,出版光電傳感器英文論著(zhù)1部。
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